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CSD18533Q5A  与  BSC076N06NS3 G  区别

型号 CSD18533Q5A BSC076N06NS3 G
唯样编号 A36-CSD18533Q5A A-BSC076N06NS3 G
制造商 TI Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7.6mΩ@50A,10V
上升时间 - 40ns
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 69W
Qg-栅极电荷 - 50nC
栅极电压Vgs - ±20V
正向跨导 - 最小值 - 30S
典型关闭延迟时间 - 20ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 8-VSONP(5x6) TDSON-8-5
连续漏极电流Id - 50A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
长度 - 5.9mm
下降时间 - 5ns
典型接通延迟时间 - 15ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
CSD18533Q5A TI  数据手册 功率MOSFET

8-VSONP(5x6)

暂无价格 0 当前型号
BSC076N06NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC076N06NS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AON6444 AOS 功率MOSFET

14A(Ta),81A(Tc) N-Channel ±20V 6.5 mΩ @ 20A,10V 8-DFN(5x6) 2.3W(Ta),83W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 60V

暂无价格 0 对比
BSC067N06LS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC067N06LS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSZ068N06NSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ068N06NS_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC076N06NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC076N06NS3GATMA1_60V 50A 7.6mΩ@50A,10V ±20V 69W N-Channel -55°C~150°C TDSON-8-5

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